定时刷新的原因:由于存储单元的访问是随机的,有可能某些存储单元长期得不到访问,不进行存储器的读/写操作,其存储单元内的原信息将会慢慢消失,为此,必须采用定时刷新的方法,它规定在一定的时间内,对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新,一般取2ms,即刷新周期(再生周期)。
可为什么是按行刷新的
定时刷新的原因:由于存储单元的访问是随机的,有可能某些存储单元长期得不到访问,不进行存储器的读/写操作,其存储单元内的原信息将会慢慢消失,为此,必须采用定时刷新的方法,它规定在一定的时间内,对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新,一般取2ms,即刷新周期(再生周期)。
可为什么是按行刷新的
首先解释一下对于DRAM而言,行意味着什么。
DRAM相对于SRAM而言,DRAM的地址数量比较多,所以为了简化译码器选通线的数量,引入了地址复用技术,把一个地址拆分成行和列,将一个一维的地址逻辑上变成了二维的地址。
所以每次刷新都是刷新一行。