原理图如上图,画的有点小有点难看,请多多包涵
采用了自举驱动方式,用四个HCPL-3120光耦驱动四路MOSFET(IRFP460)形成的全桥电路,负载暂且用300Ω电阻进行测试
两组电源分别接到两组上下桥驱动光耦,一组电源接到上桥臂的D极与下桥臂的S极,最后三个电源的负极都接在一起
用示波器分别测输出端 a 点与 b 点的波形(相对于地)
示波器调节衰减10倍测量波形,暂且不管尖峰问题
加快采样频率:
上桥臂的门极与源极的波形:
两组上桥臂的门极波形:
两组下桥臂的门极波形:
很明显,采用自举驱动方式之后,驱动上桥臂门极的信号得到放大,且以S极作为参考,GS之间得到一个10V左右的驱动电压
那么这个全桥电路应该算是在工作了
但是驱动下桥臂的两个光耦发热情况比驱动上桥臂的严重,虽然不至于会很烫,但个人认为长时间工作的话不能接受
请问对于下桥臂的驱动电路要怎么修改才能得到改善呢?还是说全桥电路未能正常工作,还存在着其他