用silvaco对下图器件进行工艺仿真，最下面的BN+是怎么做到的啊，工艺代码是什么啊
用silvaco对下图器件进行工艺仿真，最下面的BN+是怎么做到的啊，工艺代码是什么啊2?
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- 2022-04-17 17:36回答 1 已采纳 把解法一，第17行的逗号去掉就好了！有用请采纳，谢谢！
- 2022-02-04 16:56回答 1 已采纳 如果是用户名是中文导致的，那题主可以考虑直接修改用户名。以上仅供参考，如有任何疑问，可以评论回复，看到即回，希望对题主有所。点个采纳！
- 2023-03-17 23:12回答 2 已采纳 该回答引用GPTᴼᴾᴱᴺᴬᴵ在您的代码中，设置x轴标签和日期格式的代码都是正确的。但是在绘制折线图时，您使用了一个名为“wim”的DataFrame，而在读取数据时，您将DataFrame命名为“da
- 2024-04-07 16:16fengxiaoxiaoxi_的博客 氧化镓肖特基二极管反向击穿特性研究（TCAD仿真）
- 2023-03-20 23:38ys2623537070的博客 例如图4中电子电离率不知道对应的是什么，可以查手册，搜索“cm-1"比对参数名称和中文可以找到，为N.io（感觉很简单，不知道为什么卡在这里那么久），同理可通过手册查到如何定义参数。我的看法：material定义材料...
- 2023-03-30 01:09soliton-monologue的博客 Y：3um硅片初始化：均匀掺杂硼（B），掺杂浓度为5e15/cm3，晶向100，网格间距×2网格定义：乘数前；乘数后可见，加入spac.mult=2乘数后网格变得稀疏了一倍提取结果：四个电极：分别是：sto_gate，tra_gate，drain ...
- 2022-05-21 14:46小鸟起鸣的博客 书籍《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco实例教程》 2 栅帽高度对Cgs影响仿真 2.1 仿真流程 1）网格设置 2）区域、电极、接触金属设置 3）计算模型和方法 4）求解 5）结果展示 6）高度改变的循环 2.2 器件结构 ...
- 2024-11-22 18:39Study goodman的博客 我们讲完了如何得到电流密度与电压的关系图像，这组数据对于器件的仿真是极为关键重要的，因此我们重点讲解。
- 2025-03-07 14:17电子科技小筑的博客 该部分定义了模拟区域的不同材料分布。利用REGION关键字，为每个区域分配了唯一编号num，并指定了材料类型（如GermaniumSiliconSi3N4等）以及区域在 X - Y 平面...这有助于明确不同材料在器件中的位置和尺寸。#region。
- 2022-12-06 23:13中大第一摆的博客 我是用AlGaN做光电探测的，所以我只需要用到Atlas做仿真，首推唐龙谷的半导体工艺和器件仿真工具 Silvaco TCAD 实用教程 ，以及Atlas的用户手册。 我的学习模式是用知云打开，然后读师兄师姐的程序，不清楚的参数...
- 2021-08-05 11:46weixin_38754419的博客 作者：李剑首发于公众号：常垒资本（ID：conswall_cap）前文回顾：6TCAD（工艺和器件仿真）1.TCAD简介1.1.什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件...
- 2023-03-30 11:58soliton-monologue的博客 在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上 去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。电压和电流的施加使用solve状态，log和save 是将...
- 2024-12-20 13:14Leisure_xve的博客 上图为输出特性曲线 ，分别是在栅压为1v、3v、5v的情况下，可以看出在1v时器件处于截止状态，只有非常小近似于0的电流通过，随着栅压逐渐增大，沟道开启，产生漏极电流。上图为栅极漏电流曲线和转移特性曲线以及其...
- 2023-03-19 14:39soliton-monologue的博客 model fldmob srh auger bgn print temperature=300 impact selb an1=1.66e6 an2=1.66e6 bn1=1.273e7 bn2=1.273e7 \ ap1=5.18e6 ap2=5.18e6 bp1=1.4e7 bp2=1.4e7 #AN1, AN2, BN1, BN2, EGRAN：指定塞尔伯赫尔冲击...
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