如何用cadance测试结点临界电荷？

Question

如何用cadance测试传统6T的SRAM存储结点的临界电荷？具体如何操作？谢谢大神指导。

Answer 1

在Cadence软件中测试传统6T的SRAM存储单元的临界电荷通常需要进行电路仿真。

以下是一般的操作步骤：

1. 打开Cadence软件并创建一个新的设计库和设计。
2. 在设计中添加传统6T的SRAM存储单元电路图。
3. 设置仿真参数，包括电源电压、环境温度等。
4. 添加电荷注入模块来模拟临界电荷测试。通常可以使用脉冲信号或其他方式来注入电荷。
5. 运行电路仿真并观察输出结果。可以监测存储单元的状态变化以及电荷注入对其影响。
6. 分析仿真结果，确定存储单元的临界电荷值。

请注意，具体的操作步骤可能会根据Cadence的版本和使用的工具库而有所不同。建议您查阅Cadence的官方文档或参考相关的教程来获取更详细的操作指导。希望以上信息对您有所帮助，谢谢！