请问DRAM没有片选线（用行通选线和列通选线代替）怎么确认该芯片是否被选中呢？
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- 2022-05-26 21:50kev_gogo的博客 为什么DRAM要有行通选，列通选，SRAM却不要？ SRAM中因为行列同时传输，没有使用地址复用技术，因此没有行通...SRAM没有通选线就是说我给了一个这个行列信号，我不知道选的是哪个芯片，因此需要片选线。 DRAM为什么有的
- 2024-05-28 22:511n2y的博客 2.译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作。即每一次的刷新刷新的是一行的数据，而不是某一个存储单元的数据。
- 2021-07-15 23:39靖然是你的博客 计算机组成原理第三章 第3讲 DRAM存储器DRAM存储器 * * 3.3 DRAM存储器 一、DRAM存储位元的记忆原理 SRAM存储器的存储位元是锁存器，它具有两个稳定的状态。 DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的...
- 2023-04-06 20:59「已注销」的博客 线选法：假设有4组芯片，线选法用4条片选线分别连接每个芯片，只有被选中的一组芯片的片选线采用低电平，其他片选线都保持高电平。 2.译码片选法：假设有4组芯片，地址的输入将00，01，10，11，通过2/4译码器，对应...
- 2021-06-06 11:14真的是尽头了吗？的博客 （2） 半导体存储芯片的基本结构 半导体存储芯片的核心是存储矩阵，是一种可以存储数据的电路，我们这里以 一个16 x8位的存储矩阵为例，与之配合的，还有译码电路，和读写控制电路，以 及外围的
- 2022-10-24 12:39m0_73485205的博客 ⅰ.DRAM的刷新操作 ⅱ.突发传输模式 ⅰ.DRAM的刷新操作⑴....由刷新计数器产生行地址，选择当前要刷新的行，读出方式刷新，刷新一行所需时间... 对于内部包含多个存储矩阵的芯片，各个矩阵的同一行是被同时刷新的。对于
- 2019-05-04 11:08Mongo_girl的博客 定时刷新的原因：由于存储单元的访问是随机的，有可能某些存储单元长期得不到访问，不进行存储器的读/...刷新时一行行进行的，必须在刷新周期内，由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新，才能保证DRAM内的...
- 2022-03-04 17:02你的代码没bug的博客 1.片选线： 被选择的存储单元是否在当前芯片中 CS：片选信号 CE：使能信号 2.读/写控制线： 控制读或写 具体计算： 地址线为10位，数据线为4位。那么就有210存储单元，每个存储单元有个4位数据。则容量就为210×4...
- 2020-12-02 17:44swadian2008的博客 1、半导体存储芯片的基本机构 读写控制线：将CPU的控制信号传给读写电路 地址线：将CPU需要的地址传输到译码驱动中，然后由译码驱动进行翻译，然后进行寻址，是单向的 地址线的数量决定了存储单元的数量，假如...
- 2025-10-12 12:58Bol5261的博客 DRAM的“电容存储-自放电-周期性刷新”机制，是“高集成度”与“数据稳定性”之间的权衡： - 用“简单的电容+晶体管”结构实现了小体积、大容量（满足计算机对GB级主内存的需求）； - 代价是需要通过“读出再写入...
- 2020-06-11 21:56萌哒老司机的博客 3.3 DRAM存储器 动态RAM（DRAM） 因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变； DRAM的存储元 由MOS晶体管和电容组成的记忆电路； 电容上的电量来表现存储的信息； 充电—1，放电—0。 结构形式 四管存储元 ...
- 2024-11-23 20:39v我50给你蟹黄包秘方的博客 它是将存取周期加上刷新1行的时长作为新的存取周期，所以没有死区（刷新对CPU是透明的，CPU不知道什么时候刷新，死区就是CPU认为能访问DRAM，但实际不能，在存取周期里，CPU不访问）假设写入0，向位线D0和D1分别输入...
- 2025-02-05 16:09光军ultra的博客 如上图所示，若行地址线信号为全0，00000对应10进制数0，所以第一行被选中，第一行的64列为有效信号，若列信号传入的也是全0，则对应的十进制数也为0，即每组中的第0列上的基本单元电路被选中，即图中的0，16，32，...
- 2018-06-22 11:05就叫昵称吧的博客 （2）译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读和写。（包括译码器，驱动器） （3）读写电路：完成读写操作。（包括读出放大器，写入电路...
- 2022-07-31 10:00生命是有光的的博客 除此之外，还需要通过片选线的电信号来确定这块存储芯片此时是否可用，另外还需要提供读/写控制线，可能有两条，也可能有一条。 一个内存条可能包含多块存储芯片，每一块存储芯片都是1GB，8块就能存储8GB的数据。若...
- 2022-10-23 13:49m0_73566739的博客 ⅰ.DRAM的刷新操作 ⅱ.突发传输模式 ⅰ.DRAM的刷新操作 ⑴.刷新操作： 按行来执行内部的读操作。 由刷新计数器产生行地址，选择当前要刷新的行，读出方式刷新，刷新一行所需时间就是一个存储周期。 ⑵.刷新...
- 2022-10-07 19:44落春只在无意间的博客 存储系统 半导体随机存储器 半导体存储芯片 SRAM和DRAM存储器 主存储器与CPU的连接 主存容量的扩展 位扩展 字扩展 DRAM的扩展 存储器与CPU的连接
- 2025-07-02 09:56大大大大小小的博客 摘要：内存扩展技术主要包括位扩展、字扩展和字位扩展。位扩展通过并联芯片增加...DRAM通过RAS/CAS信号实现片选，而SRAM需专用片选线。主存由多个内存条组成，包含RAM（常用DRAM）和ROM两部分，通过系统总线与CPU相连。
- 2020-10-19 17:39micro_cloud_fly的博客 针对主存储器的逻辑结构，如下图...片选线确定哪个存储芯片被选中，可用于容量扩充。如地址线10根，数据线是8根，则芯片容量=210*8=8K位 半导体随机存取存储器的特点对比 为了能够加深印象，我这里搞成表格，复述一遍
- 2018-10-27 15:30gzhosp_redAnt的博客 片选线：确定哪个芯片被选中（用来选择芯片） 数据线：双向输入，其位数与芯片可读出或者写入的位数有关，也与芯片容量有关。 存储容量 通常我们将存储容量表示为： 字数 X 位数，比如 64K X8...
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