某16K×1位的 DRAM 存储芯片的读写周期 T=0.1us,如果芯片的最大刷新间隔不允许超过2ms,否则有可能丢失信息。
(1)刷新周期是多少?将 DRAM 存储芯片刷新一遍需要多少个刷新周期?
(2)若采用分布刷新方式,则刷新信号周期是多少?
(3)若采用集中刷新方式,则将 DRAM 芯片刷新一遍需要多少时间?不能提供读写服务的百分比(死时间率)是多少?
询问一道组成原理的题
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- SmallAntJ 2022-02-12 21:12关注
参看《新编计算机组成原理习题与解析》试读:4.1 知识点1:主存储器的基本概念 例4-1-50
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