最近在调试S32K144的Flash模拟EEPROM，在S32DS提供的EEPROM例程的基础上进行修改，现在可以正常进行读写。因为每次烧写时会把上次写入EEPROM的数据擦除，因此按网上教程在烧录界面增加了烧写保护区的设置，如下图所示：
但设置完后再重新烧录就会报错，如下图所示：
最终烧录失败
后来我做了一些实验，发现：如果第一次烧录时不设置烧录保护区，那么可以烧录成功，第二次烧录时再设置烧录保护区，也可以烧录成功；但如果修改了一下程序，再烧录，那就烧录失败，但只要不设置烧录保护，就能烧录成功，然后下次烧录时再把烧录保护区设置好，能烧录成功
总结下来就是：修改完程序后第一次烧录不设置烧录保护，在第二次烧录时再设置烧录保护，这样就能烧写成功，避免写入的内容被擦除
如果修改完程序后就设置烧录保护，那就会导致烧录失败，有报错
大家能帮我看看是什么原因吗
