silvaco器件仿真

Question

设计一个理想的n沟道多晶硅栅MOSFET（VT=0.65v，tox=30nm，L=1.25µm，Qss=1.5x1011cm-2），使得在VGS=2.5V，VDS=0.1V时，漏电流ID=50µA。利用Silvaco TCAD工具开展器件设计与仿真：基于上述参数仿真对应nMOSFET的输出特性曲线；根据器件尺寸缩减原则（恒定电场原则），按照每一代器件面积缩小一半的标准，额外设计4代器件，仿真得到阈值电压随工艺节点的变化情况？

Answer 1

提供参考实例【Silvaco TCAD仿真10——MOSFET结构仿真】，链接：https://blog.csdn.net/weixin_41788560/article/details/120803791