AndroidBench&eMMC内存测试速度&Android

Question

问题：
手机eMMC内存，我用Android Bench/安兔兔/鲁大师测出来的速度很快，而自己写Android Tool测试的速度确很慢，这是为什么呢？

主要信息：

1. 同样是Sequence Write操作，Android Bench测出来的速度为150MB/S，而我的Tool最高只能跑130MB/S，
2. 我的Tool采用的是Direct IO的方式去写入数据，修改的是Android Native层部分
   3）在抓取的eMMC指令中，AndroidBench的CMD13几乎不花费时间，而我的Tool每次都会花费大概2ms左右
   如下图：图一为Android Bench的Write操作
   

   

   
   图二为我写的Tool的Write操作，两者时间差异在CMD13消耗的时间上
   

   

我的IO方式(Android Native层)，C代码：

      1）申请内存                            --  只申请一次
            requestSpace = posix_memalign((void**)&jbArray,4096,jbArraySize);//Size为1024*1024 = 1MB
      2）创建文件，获取对应句柄   --  只调用一次
            fileHandle = open(filePath, O_WRONLY | O_CREAT | O_NOCTTY | O_DIRECT | O_APPEND |O_TRUNC, S_IRUSR | S_IWUSR);   
      3）写入数据                            --  循环调用512次，写入51MB数据，只会记录该循环写入的时间
            for(int i = 0; i<512; i++)
            {
                writeLength = write(fileHandle,jbArray,length);   //length长度为1024*1024 = 1MB，单次Write1MB
            }
  

结果：
我的Tool执行时间 计算出来的速度 比AndroidBench计算出来的速度慢，使用UFS内存的设备上差距更加明显

尝试过的方法：
1） IO方式中，试过mmap和Java IO的方式，都比Direct IO慢
2）修改过单次写入的数据大小，1MB和4KB没有什么差距，4KB速度反而稍慢

我想要的结果：
我想知道为什么会造成这种速度差异，我该如何修改，我目前只能做Native层的优化，希望能有巨佬帮忙解惑，非常感谢

Answer 1

那就可以，做一些优化：用预先缓存的数据进行写入，这可以提高写入速度；用更快的eMMC驱动，这可以提高读写速度。用其他的缓存技术，例如mmap，来提高读写速度。用用户空间的缓存来提高读写速度。在底层优化写入的硬件驱动。