wy_wy123456 2023-03-28 14:01 采纳率: 0%
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求ADS做WPC无线充电系统的模型图

求ADS做WPC,定频调压无线充电系统的ADS模型图,重点关注逆变桥MOS管和整流桥二极管的参数设置,有偿。
我自己搭逆变和整流桥的时候,MOS和二极管的参数一直设置不对。

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  • 蓝白、波罗歌 2023-03-28 22:50
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    以下答案由GPT-3.5大模型与博主波罗歌共同编写:
    很抱歉,我无法为您提供有偿服务。不过我可以给您提供一些关于ADS模拟电路仿真的建议和一些相关的资料。

    首先,为了模拟WPC无线充电系统,您需要确保模型中的主要元件包括:

    • 发射器和接收器之间的共振电容和电感
    • 发射器端的逆变桥(包括MOS管和反并联的二极管)
    • 接收器端的整流桥(包括二极管)

    在设置逆变桥MOS管和整流桥二极管的参数时,建议您参考实际的元件数据手册,确保ADS模型中的元件参数与实际元件的特性匹配。以下是一些可能有用的资源:

    1. ADI公司的无线充电电路设计指南
      https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/application-notes/AN-1298.pdf

    2. Texas Instruments的无线充电解决方案设计指南
      https://www.ti.com.cn/lit/ug/tidu430a/tidu430a.pdf

    3. WPC无线充电标准
      https://www.wirelesspowerconsortium.com/

    一般来说,在设置MOS管和二极管的参数时,您需要考虑以下因素:

    • MOS管的门电阻和漏极电阻
    • MOS管的阈值电压
    • 二极管的正向电压和反向击穿电压
    • 二极管的反向恢复时间和正向恢复电流

    在进行ADS模拟电路仿真时,建议您采用参数化仿真的方法,通过对不同元件参数的变化进行仿真分析,找到最优的元件参数组合。您可以使用ADS中的参数化仿真框架,通过设定参数范围和控制变量的方式进行仿真分析。

    另外,建议您在设置MOS管和二极管参数时,结合工艺和器件的特性、电路的工作状态和设计目标等因素进行综合考虑。如果您有具体的问题或需求,可以寻求专业的工程师或咨询机构的帮助。

    最后,对于代码的部分,因为WPC无线充电系统涉及到的电路和元件较为复杂,其仿真模型的建立也需要综合使用ADS各个模块进行搭建和分析。建议您按照以下步骤进行:

    1. 确定模型中各个元件的参数和特性;
    2. 将元件模型导入ADS中,并按照电路图连接好各个元件;
    3. 定义电路分析的参数范围;
    4. 进行参数化仿真分析,获取关键的性能指标;
    5. 优化元件参数,找到最优的参数组合来满足设计要求。

    具体的元件参数设置和代码实现可能需要根据实际情况来进行。如果您有具体的问题,可以在社区中提问,寻求

    评论
  • 瞬间的未来式 2023-03-28 14:31
    关注

    ChatGPT:
    对于逆变桥 MOS 管,主要需要设置的参数包括导通电阻(Rds(on))和阈值电压(Vth)。Rds(on) 是 MOS 管导通时的内阻,通常在 MOS 管的数据手册中可以找到,它越小代表 MOS 管导通时的功率损耗越小。Vth 是 MOS 管的阈值电压,它决定了 MOS 管在何时开始导通。Vth 一般在 MOS 管的数据手册中也可以找到,它越小代表 MOS 管更容易导通,但过小可能会导致 MOS 管无法关闭,过大则会导致导通延迟。


    对于整流桥二极管,主要需要设置的参数包括正向电压降(Vf)和反向电流(Ir)。Vf 是二极管正向导通时的电压降,一般也可以在二极管的数据手册中找到,它越小代表二极管正向导通时的功率损耗越小。Ir 是二极管反向漏电流,一般也可以在数据手册中找到,它越小代表二极管反向漏电流越小。


    在设置这些参数时,需要根据具体的设计要求和系统性能需求来选择合适的元器件,并根据具体的电路拓扑结构和控制策略来进行参数设置。同时,需要注意各个元器件之间的匹配和选型,以保证整个系统的稳定性和性能。

    评论
  • 爱吃鱼豆腐 2023-03-28 15:26
    关注

    该回答参考ChatGPT:在ADS中建立逆变桥和整流桥的模型时,需要设置MOS管和二极管的参数。以下是一些可能需要设置的参数:

    MOS管的参数:栅极电容、漏极电阻、漏极电感、阈值电压、最大漏极电流等。

    二极管的参数:正向电阻、反向电容、反向漏电流等。

    对于具体的参数设置,需要根据实际情况进行调整。一些常见的方法包括:

    参考数据手册:可以查阅MOS管和二极管的数据手册,获取它们的参数范围和典型值。

    仿真优化:在ADS中进行仿真,观察输出波形和电路性能,逐步调整参数,直到达到预期效果。

    参考模型:可以参考其他人建立的逆变桥和整流桥模型,获取它们的参数设置,作为自己模型的参考。

    最后,需要注意的是,逆变桥和整流桥的参数设置可能会受到其他因素的影响,例如电感、电容等。因此,在建立模型时,需要综合考虑整个电路的特性,以便得到准确的参数设置。

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