制作mos晶体管需要用到哪些微电子制造单项工艺并说明工艺流程
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- 2022-09-20 13:45TIH_Tech的博客 从1985年起IBM公司就开始研发用铜代替铝作为超大规模集成电路多层金属互联系统的工艺技术，直到1998年才在诺发公司的协助下研制出了铜互连工艺，并将其应用在实际的集成电路制造中，1999年苹果公司也在400MHz微处理...
- 2021-10-31 20:29念心科道尊的博客 NPN-Si双极型（三极管）晶体管芯片工艺流程 （Si外延平面工艺） 外延 材料区分：同质外延和异质外延 工艺区分：气相外延VPE，液相外延LVP，固相外延SPE，分子束外延MBE 温度区分：高温外延（>1000°C），低温外延...
- 2021-07-10 01:04豪睿刘爱上楼楼梯的博客 14152计算机组成原理考试题型一、填空题(每空1分，共10分) 二、单项选择题(每题2分，共30分) 三、多项选择题(每题2分，共10分) 四、简答题(每题5分，共10分) 五、计算题(每题10分，共30分) 六、分析题(共10分)选择、...
- 2021-10-22 20:52for_good_love的博客 电力电子研究现状分析 【摘要】：电力电子技术总的来说是采用电力电子装置（或器件）进行电能变换（换流），以给不同的负载供电。主要包括四个部分，第一个部分主要是电力电子器件，新型电力电子的器件的产生和兴起...
- 2020-10-17 20:57Si757的博客 三、程序流程与设计 四、总结与其他 一、系统总体设计 1、题目分析 根据要求，首先应使用隔离变压器与自耦变压器将220V交流市电降压输入至UPS系统中，再转换为固定大小的交流电给负载供电。一般来说，AC-AC的...
- 2023-07-30 16:59刘鑫磊up的博客 一：基本元器件介绍1....场效应管(电压控制)4.1 介绍4.2 类型（耗尽型、增强型、N沟道、P沟道）4.3 可变电阻区、 恒流区、截至区、击穿区、过损耗区5.光耦6.发声器件7.继电器8.数码管9.瞬态电压抑制器(TVS)
- 2022-04-24 20:28徐州城的博客 1.3.1、集成电路概述 集成电路（IC)是20世纪50年代出现的，它以半导体单晶片作为材料，经平面工艺加工制造，将大量晶体管、电阻、电容等元器件及互连线构成的电子线路集成在基片上，构成一个微型化的电路或系统。...
- 2022-05-18 18:57Aure.111的博客 第六章 总线系统 第七章 外围设备 第八章 输入输出系统 第一章 计算机系统概论 1.1 计算机发展历程 1.1.1 什么是计算机系统 硬件+软件 1.1.2 硬件的发展 第一代：电子管时代 第二代：晶体管时代 第三代：中小规模...
- 2024-11-21 15:05请叫我斌哥哥的博客 概念：应用实例家用电子，汽车电子，嵌入式系统，低成本，低功耗，小型化，通常使用c语言或者汇编语言，用于家用电器控制，智能家居，汽车电子等领域。
- 2024-02-08 23:16行稳方能走远的博客 那这时候就可以置SS为高电平结束通信了，在ss的上升沿mosi还可以再变化一次，将mosi制造一个默认的高电平或低电平，当然也可以不去管它，因为spi没有硬性规定mosi的默认电平，然后miso从机必须得置回高组态，此时...
- 2020-09-11 10:42cullen2012的博客 电离辐射和非电离辐射有许多不同的来源，它们以多种方式影响微电子设备的功能。 对于不同的条件，对于不同的条件集和不同的暴露水平，其容忍度是不一样的，因此，绝对不需要在切尔诺贝利或福岛的机器人中使用为低...
- 2024-12-19 16:52朱猡的博客 一、单项选择题 1、下列属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是（B ）。 A. 应变式传感器B. 化学型传感器 C. 压电式传感器D. 热电式传感器 2、通常意义上的传感器包含了敏感元件和（C ）两个组成部分。 A. ...
- 2021-08-21 11:01「已注销」的博客 摘要：本文是以“基于STM32F103的单相在线式不间断电源设计”作为研究对象，设计制作一款由控制电路、整流电路、Boost升压电路、单相逆变电路、交流直流采样电路、辅助电源电路构成的单相在线式不间断电源系统设计。...
- 2021-12-26 16:26freshman2233的博客 四、指令流程和微指令（16分：传送指令、双操作数指令） 五、主存设计（14分，PPT例题、作业题） 六、汇编程序设计题（2小题，22分，完整程序设计【数据段、代码段、堆栈段、附加段】、部分程序设计） 复习范围：...
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