MM32F002使用内部flash存储数据怎么操作？

Question

// 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数
s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len);
// 将数据写入EEPROM中的函数
s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len);

我是直接用MM32F002的例程，为什么使用这两行代码存储set_wendu这个全局变量存储不了。

试过改EEPROM_Write，EEPROM_Read这两个函数的在代码行中的先后顺序，FLASH的保存地址操作但还是不行。

总的代码量在25KB，MM32F002flash空间为32KB。

#include "hal_conf.h"
#include <string.h>
#include "flash.h"


#define M8(adr)  (*((vu8  *) (adr)))
#define M16(adr) (*((vu16 *) (adr)))


#define BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS    (0x08000000+30*1024+4)

// 擦除指定FLASH页的函数
static void FLASH_SIM_EraseEE(u32 pageAddress)
{
    FLASH_Unlock();
    FLASH_ErasePage(pageAddress);
    FLASH_Lock();
}

// 在指定地址处编程缓冲区的函数
static void FLASH_SIM_ProgramEE(u16* buf, u32 addr, u16 len)
{
    u16 i;
    FLASH_Unlock();
    for ( i = 0; i < len / 2; i++) {
        FLASH_ProgramHalfWord(addr, *buf);
        addr += 2;
        buf++;
    }
    FLASH_Lock();
}

static u8 FLASH_SIM_FindEmpty(u32 ptr, u16 len)
{
    u16 i, readdata;
    u8  ret = 1;
    for (i = 0; i < (len / 2); i++) {
        readdata = M16(ptr + i * 2);
        if ( readdata != 0xffff) {
            ret = 0;
            break;
        }
    }
    return ret;
}

// 确定指定地址上可写入数据的区域的函数
u32 FLASH_SIM_WriteLocate(u32 pageAddress, u16 len)
{
    u16 i;
    u32 ptr = pageAddress;
    if( (pageAddress % 2 ) != 0) {
        while(1);
    }
    if((0x800 % len) != 0)
        while(1);

    for (i = 0; i < (0x0800 / len); i++) {
        ptr = (pageAddress + i * len);
        if (FLASH_SIM_FindEmpty(ptr, len) == 1) {
            break;
        }
    }
    if(i == (0x0800 / len))
        ptr = 0;
    return ptr;
}

// 在指定地址处写入缓冲区的函数
static void FLASH_SIM_WriteEE(u16* buf, u32 pageAddress, u16 len)
{
    u32 ptr = FLASH_SIM_WriteLocate(pageAddress, len);
    if (ptr == 0) {
        FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);
        FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);
        FLASH_SIM_ProgramEE(buf, pageAddress, len);
    }
    else {
        if (ptr == (pageAddress + 0x0400 - len)) {
            FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x400);
            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
        }
        else if (ptr == (pageAddress + 0x0800 - len)) {
            FLASH_SIM_EraseEE(pageAddress + 0x000);
            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
        }
        else {
            FLASH_SIM_ProgramEE(buf, (u32)ptr, len);
        }
    }
}

// 初始化EEPROM的函数
void FLASH_SIM_EEPROM_Init(void)
{
    FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0000);
    FLASH_SIM_EraseEE((u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) + 0x0400);
}

// 从EEPROM中读取上一组写入的数据的函数
s32 EEPROM_Read(u8* ptr, u16 len)
{
    u32 pAddr;
    pAddr = FLASH_SIM_WriteLocate((u32)BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS, len);

    if (pAddr == 0) {
        return  -1;
    }
    else if (pAddr == BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS) {
        pAddr = (BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS + 0x0800 - len);
    }
    else {
        pAddr -= len;
    }
    memcpy(ptr, (s8*)pAddr, len);

    return len;
}

// 将数据写入EEPROM中的函数
s32 EEPROM_Write(u8* ptr, u16 len)
{

    FLASH_SIM_WriteEE((u16*)ptr, (u32)(BASED_FLASH_SECTOR_ADDRESS), len);
    return len;
}

Answer 1

在其他地方修改了set_wendu这个全局变量的值？