vasp，石墨烯在进行双轴应变-5%的没有出现弯曲，请问各位专家和老师们这是哪里出现了问题，
图一是INCAR，图二是POSCAR。图三是CONTCAR。图四是文献中的结构
石墨烯双轴应变，压缩晶格常数95%没有出现弯曲
图一是INCAR，图二是POSCAR。图三是CONTCAR。图四是文献中的结构
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- 2025-01-07 11:02唐学成的博客 为了揭示纳米多孔石墨烯（NPG）膜的结构与性能之间的关系，采用方法研究了材料在对于所有拉伸情况，裂纹在具有高应力的孔边缘上起始，并且优选地沿石墨烯的Z字形方向沿着传播。双向拉伸时NPG的弹性模量高于单向拉伸...
- 2025-09-28 07:07「已注销」的博客 通过利用PbO或TiO₂等氧化物衬底与石墨烯的晶格失配，诱导出异双轴应变，从而在单层和双层石墨烯中引入所需带隙。进一步结合自旋工程可调节带隙大小，提升器件性能。该方法工艺简单、成本低，具备大规模应用潜力，为...
- 2025-10-22 10:35flyair_China的博客 它相当于为网络运维团队配备了一位不知疲倦的“初级分析师”（RPI）和一位经验丰富的“专家”（贝叶斯推断），两者协同工作，能够显著缩短故障定位时间，提升定位准确性，并最终实现运维的智能化升级。
- 2025-06-19 21:20kkchenkx的博客 二维材料，如石墨烯、过渡金属二硫化物（TMDCs）、黑磷等，由于其独特的电子结构和物理性质，在电子器件、光电器件等领域具有广泛的应用前景。输运性质主要包括电导率、迁移率、能带结构、密度态等，这些性质决定了...
- 2026-03-21 10:11pk_xz123456的博客 摘要 第三代半导体氮化物材料（GaN、AlN、InN及其合金）在光电器件和功率电子领域具有重要应用，但传统异质外延面临的晶格失配与剥离转印困难制约了其发展。范德华外延技术利用二维材料表面无悬挂键的特性，为氮化物...
- flyair_China的博客 本征应力模型 σi=1−νfEf(εm+εg+εt) 本征应力分解 σi: 本征应力(Pa) εm: 晶格失配应变 εg: 生长应变 εt: 热应变 薄膜沉积 多机制耦合 晶格常数(0.2-0.6nm) 热膨胀系数 化学机械抛光 ...
- 2025-10-18 01:28脸先着地天使的博客 重点分析了其在新型拓扑结构、石墨烯基系统、有序排列与超材料构建、光子器件以及自旋电子学和高密度磁存储中的潜力。文章还详细阐述了量子环作为自旋量子比特的优势、g张量与几何形状的关系，并指出了当前面临的...
- 2025-07-03 20:34flyair_China的博客 10⁵ 10⁴-10⁶ 基于电荷俘获 石墨烯/氧化物 10⁶-10⁸ 10⁴-10⁶ ±5-10 10-50 10⁵-10⁶ 10⁵-10⁷ 有机分子 10⁷-10⁹ 10⁵-10⁷ ±2-5 10-100 10³-10⁵ 10⁴-10⁶ 铁电隧道结 BaTiO₃ 10⁵-10⁷ 10³-10⁵ ...
- 2025-07-20 18:49flyair_China的博客 关键参数/变量 晶格常数 a， 倒格子矢量 G， 波矢 k， 禁带宽度 Eg， 电子有效质量 me∗， 空穴有效质量 mh∗， 态密度有效质量 mdos∗， 费米能级 EF， 载流子浓度 n， p。 精度 第一性原理计算（如...
- 2026-02-22 19:32flyair_China的博客 石墨烯：单层吸收~2.3%，与波长基本无关（从可见到红外），T ≈ 1 - πα ≈ 97.7%(α为精细结构常数)。 FoM极限：目前ITO的FoM~0.05-0.1， AgNW可达0.2-0.3，石墨烯理论极高。理想透明电极应在可见光区T→100%，...
- 2026-02-21 05:58flyair_China的博客 算法/策略 DFT计算伪代码： 初始化：SiGe超胞结构，晶格常数a for 应变值 in [-2%, 2%]: 应用双轴应变ε 执行DFT自洽计算（VASP/Quantum ESPRESSO） 计算能带结构E(k)、态密度DOS 提取有效质量m*、迁移率μ end ...
- 2025-12-16 14:05flyair_China的博客 探索石墨烯、过渡金属硫化物等新材料的基础物性，研发新原理器件（如分子超晶格器件）。 载流子迁移率瓶颈、短沟道效应、器件模型计算效率低。 芯片架构与集成理论 量子隧穿效应、三维集成中的量子与热力学效应。 ...
- 2026-02-25 09:59flyair_China的博客 等离子体处理(可选) 朗缪尔吸附模型，表面反应动力学，Monte Carlo模拟 自限制表面反应，化学吸附理论，成核生长机制 高介电常数材料，金属前驱体，等离子体增强ALD 5 零部件 激光雷达SPAD器件 PDE = PDE_peak·exp...
- 2026-04-24 07:56flyair_China的博客 SW-GPU-002 (混合精度训练)、SW-GPU-003 (通信库优化)、HW-GPU-101 (Tensor Core微架构)： SW-GPU-008 (DVFS算法)、HW-GPU-110 (功耗配送网络)、OTHER-GPU-402 (可靠性预测)： HW-GPU-102 (后端互连)、MANU-GPU-201 ...
- 2026-02-22 19:29flyair_China的博客 先进材料：复合材料（CFRP、GFRP、CMC、MMC）、半导体（Si、SiC、GaN）、低维材料（石墨烯、CNT、MXene）、智能材料（SMA、压电、磁致伸缩）、增材制造材料（3D打印金属/陶瓷/高分子）。 极端条件材料：超导材料、...
- 2025-08-22 08:10flyair_China的博客 光子晶体面发射激光器、纳米束激光器 设计晶格类型（三角、正方）、空气孔/柱的形状、大小、排列，以在特定波长处打开完全光子带隙或定向带隙，形成高Q缺陷模。 4. 等离子体激元增强设计 利用金属纳米结构产生的...
- 2026-04-13 17:20flyair_China的博客 Chip-A0-4 光刻技术 成像 分辨率 瑞利判据 R=k1NAλ Chip-A0-5 材料科学 晶体学 硅衬底 晶格常数 aSi= 5.4307 Å （在300K时） Chip-A0-6 固体物理学 载流子 迁移率 掺杂浓度影响 μ(N)=μmin+1+(N/Nref...
- 2026-04-14 20:43flyair_China的博客 ： τmdtdV=−(V−Vrest)+RmIsyn(t)， 其中 τm为膜时间常数， Vrest为静息电位， Rm为膜电阻， Isyn为突触输入电流。的前提下，联合优化工艺模型成为可能，有望加速先进工艺节点的开发和良率爬坡...
- 2025-10-08 09:47onion的博客 石墨烯 ~1580 (G峰) 碳原子面内振动 层数、掺杂、应力 石墨烯 ~2700 (2D峰) 双声子共振过程 层数、堆垛方式、应力 实战应用：氮化物薄膜的应力分析 GaN薄膜通常生长在蓝宝石或硅等失配衬底上，因此存在双轴应力。...
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问题事件
已结题
（查看结题原因） 8月30日-
创建了问题
8月23日