DC-DC升降压 输出NMOS管发烫严重

Question

空载的时候输出上管的栅极VDS波形

20V 4A输出时候输出上管的栅极VDS波形

芯片是PL5500 升降压芯片,输入12V-输出20V 5A。芯片在输出20V-4A的时候输出上管发烫130多度，然后看波形不对。尝试更换了栅极串联电阻0R,4.7R,10R。效果都不佳，然后看栅极波形发现高电平的时候电压在20左右也就是说栅极可能工作在放大去了。这个问题如何解决呢，

Answer 1

援引讯飞星火：
您好，根据您的描述，PL5500升降压芯片输出NMOS管发烫严重。这可能是由于电路设计的问题，例如让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。频率太高也是一个原因。主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。没有做好足够的散热设计：电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。MOS管的选型有误：对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大 。