DRAM power short fail mode

Question

DRAM power short VDDSHT3 fail mode 分析！
VDDSHT3 的测试条件是VDD=VDDQ=VDDQCA=1.1V, VPP=1.8V, Internal Pin floating, VDDSHT3 电流值是超量程的大概400多mA, VPPSHT3/VDDQSHT3 电流都没问题的，EFA 无论是VDD-VSS, 还是power pin全部上电还是在IDD2N/IDD2P 模式下照亮点都照不到亮点，很奇怪，各位学长学姐有没有知道的啊，感谢不尽！

Answer 1

引自免费微信小程序-皆我百晓生，希望对题主有所帮助，如有帮助，还请采纳。

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根据你的描述，DRAM power short VDDSHT3 fail mode 的情况是VDDSHT3的电流值超过了正常工作范围，大约是400毫安。VDDSHT3是在VDD=VDDQ=VDDQCA=1.1V，VPP=1.8V的条件下进行测试的。VPPSHT3和VDDQSHT3的电流没有问题。在EFA模式下，无论是VDD-VSS还是全部power pin上电，还是在IDD2N/IDD2P模式下照亮点都照不到亮点。

这种情况下，可能存在以下几种可能性：

1. VDDSHT3的电流超过了规格范围，可能需要进一步调整电源电压或电流限制。
2. DRAM芯片本身存在问题，在高电流下无法正常工作。可能需要更换芯片或进行修复。
3. 测试条件设置不正确，可能需要重新确认测试条件，并进行验证。

建议你向更有经验的学长学姐请教，或者咨询技术支持团队以获取更准确的解决方案。