N32G031的Flash擦写问题

Question

有个问题要请教下：

目前一个用N32G031单片机的项目要在运行时保存一些实时信息，而且要掉电保存，信息量很少，就1个字节，用几个比特保存一些开关状态。这款单片机没有EEPROM，只有Flash可以存储这些掉电后需要保存的信息，但Flashca擦除次数有限，看手册是10万次，如果频繁读写肯定有问题。

我的想法是：只有当运行时的信息（也就是开关状态）和Flash保存的信息不同时才保存，其他情况只是读取和比较，但是这种做法有没有什么安全漏洞？万一外部有设备控制那些开关不停的切换状态，那岂不是Flash也会频繁擦写？

请教下各位有没有什么好的办法来确保Flash读写的安全？不让其频繁擦除，要考虑最坏的情况，谢谢了！

Answer 1

1、首先，确需频繁保存重要数据的，还是外加EEPROM芯片，乃至无成本要求时使用铁电。
2、内部FLASH可模拟EEPROM，可以去参考如ST的FLASH模拟EEPROM代码，做了一定的内存均衡手段。
3、上述方法仍然有寿命限制，通常为一百万次，如果按照一秒一次读写来算，一天就是八万多次，十几天寿命到头。
4、虽然常温情况下，普通EE寿命实际可达二百~三百万次以上，但可能无法达到标称100年存储，甚至几个月就无法读出数据。
5、至于掉电检测，N32G031系列MCU内部有比较器，可通过比较器状态+定时器查询+低功耗（可选）的方式进行迟滞掉电检测，然后进行数据保存
6、注意，如果使用FLASH，那么MCU在上电初始化时就应擦除对应的扇区，以避免在掉电时去擦除，从而导致擦写时间长，来不及保存。
7、若使用掉电检测，其平时MCU运行时，可以不进行保存，在RAM中即可，但是前提条件是掉电检测需要可靠，这样就无需考虑读写寿命问题。