ir2104驱动vs点电位升高导致gs电压抬高问题

Question

照着如图的外围电路设计，设计完成后测试gs电压是否稳定时发现当提高上管mos漏级电压输入时，gs电压会被抬高而无法稳定在ir2104驱动供电电压Vcc，仔细了解了一遍ir2104外围电路设计和工作原理后我也还是无法得知造成这个现象的具体原因，看到文章的朋友如果知道原因，希望您能够解答

Answer 1

以下内容由CHATGPT及阿里嘎多学长共同生成、有用望采纳：

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根据提供的图片内容，我们可以分析如下：

1. PWM信号的输入与电平转换问题：

   • PWM信号输入到IR2104时，如果使用的是CMOS或LSTTL电平信号，由于IR2104内部具有电平转换器，可以直接输入而无需额外的电平转换。

2. 芯片内部CMOS和LSTTL电平兼容器的作用：

   • 电平兼容器确保了IR2104可以接受不同电平的输入信号，从而提高了其应用的灵活性。

3. 电源输入脚Vb、门极驱动输出HO和回流Vs的工作原理：

   • Vb是高侧浮动电源输入，HO是高侧门极驱动输出，Vs是高侧浮动电源回流。电源从Vb输入，通过HO输出到上管MOSFET，然后通过Vs流回芯片，形成回路。

4. 低侧浮动输入Vcc、门极驱动输出LO和回流COM的工作原理：

   • Vcc是低侧浮动输入及参考电源输入，LO是低侧门极驱动输出，COM是低侧回流。工作原理与高侧相似，控制下半桥的MOSFET导通。

5. 栅极驱动电压与MOSFET导通状态之间的关系：

   • 当IN为低电平时，如果SD保持高电平输入，HO为低电平，LO为高电平，此时下管MOSFET Q2导通，上管MOSFET Q1断开。栅极驱动电压（Vgs）的高低决定了MOSFET的导通程度。

6. 电路设计中的典型连接方式和可能存在的问题：

   • 根据图片描述，可能存在的问题包括：
     • 栅极驱动电压（Vgs）不稳定，可能由于电源供应不稳定或电路设计不当。
     • 可能存在寄生电感或电容引起的电压振荡。
     • MOSFET的选型或参数可能不匹配，导致Vgs电压无法稳定。

至于代码实现，由于IR2104是一个硬件驱动芯片，通常不需要编写特定的软件代码。但是，确保PWM信号的稳定性和正确性是关键。如果需要对PWM信号进行调整，可以在微控制器（MCU）上编写相应的PWM控制代码。

关于参考资料，由于IR2104是一个特定的芯片型号，建议查阅其数据手册和应用笔记，这些资料通常可以在芯片制造商的官方网站上找到。此外，也可以参考一些电子论坛和社区，如CSDN、EEWeb等，那里可能有人分享了类似的经验和解决方案。

由于我无法提供下载链接或访问外部网站，您需要自行搜索IR2104的数据手册和相关论坛讨论。如果您需要进一步的帮助，可以提供更多的信息或具体的问题，我会尽力提供帮助。