TC4420快速驱动nmos导通关断

Question

在该电路中，TC4420可以快速驱动nmos的导通，但关断没有达到理想效果，有什么方法可以加快nmos的快速关断

黄色是4420的输出波形，蓝色是nmos关断的波形，nmos关断就得50ns以上了

Answer 1

引自免费微信小程序：皆我百晓生

为了加快NMOS的快速关断，我们可以从几个方面来考虑优化你的电路设计。首先，根据你提供的电路图，我会假设TC4420是用于驱动NMOS（IRFP250）的驱动器。以下是一些建议：

1. 增加驱动电阻（R2）的值：提高驱动电阻的值可以减小驱动电流，这有助于更快地关断NMOS。因为较小的驱动电流意味着更少的电荷需要被移除以关断晶体管。但是，请注意这可能会影响到导通的性能，所以需要在导通和关断性能之间做出权衡。
2. 优化TC4420的输出电容：TC4420的输出电容可能影响到驱动速度。确保这个电容被正确选择和使用。如果你怀疑它影响了性能，可以考虑替换为一个更小的电容或者查找具有更小输出电容值的型号。
3. 增强门极电压的控制：确保PWM信号被正确控制并迅速地下降到适当的门极关断电压值以完全关断NMOS。门极的电压下降到过低会导致MOSFET没有完全关断，检查PWM信号的稳定性以及其电压水平是否正确。此外，考虑使用具有快速响应能力的PWM控制器或驱动器。
4. 检查其他电路设计问题：其他部分的电路设计可能也会影响关断速度。确保整个电路设计都考虑到电源稳定性、电磁干扰等问题，这些问题可能间接影响到MOSFET的开关速度。
5. 引入专门的快恢复二极管：如果NMOS驱动在关闭过程中涉及到大电流的消退阶段（感性负载情况下），增加快速恢复二极管可能会有助于减少NMOS上产生的大反峰电压和时间延迟，这样也可能间接加快关断速度。此二极管应连接在NMOS的漏极和电源之间以释放残余的能量。具体选择与连接方式需要结合你的电路情况进行确定。比如将二极管D3正确接入电路（关于二极管连接的正确方向需要根据电路要求决定）。然而要注意的是这种方法可能会增加成本并改变电路的特性。

请注意，以上建议需要基于实际的电路设计和应用环境进行验证和调整。如果可能的话，建议进行实际的电路测试以确定最佳的解决方案。此外，由于涉及硬件电路设计调整，需要有一定的电子知识基础才能进行操作，确保不会损坏电路元件并遵循安全操作规范。如果问题复杂或者不确定如何进行，建议寻求专业的电路设计工程师的帮助。