栅极驱动低侧烧毁MOSFET

Question

重新制作了个PCB板，搭建了一个与上次连接相同的电路，此次问题为，当芯片LO导通时，此时会烧毁对应的低侧MOSFET，仅有调大栅极电阻阻值（由于手上电阻不全，从0调至了400Ω）才能避免此现象，与预期情况不符合。请问此现象出现的原因。

连接图如上

后续测试发现，仅有低侧工作时，也会出现此情况，与高侧，自举电容等无关.

后续MOSFET这么接入也会出现同样的烧毁情况。

Answer 1

以下参考免费微信小程序：皆我百晓生 作答，并由阿齐Archie整理回复，若还有疑问可评论或留言。

从您提供的描述和电路图信息来看，低侧MOSFET烧毁的问题可能由几个因素引起。以下是一些可能导致低侧MOSFET烧毁的原因，以及相应的解决方案：

1. 栅极驱动电压过高：

   • MOSFET的栅极驱动电压可能超过了其最大额定值，导致MOSFET过热并烧毁。
   • 解决方案：检查驱动电路，确保栅极驱动电压不超过MOSFET的数据手册中规定的最高电压。

2. 栅极电阻过小：

   • 栅极电阻过小可能导致电流过大，从而导致MOSFET过热。
   • 解决方案：增加栅极电阻的阻值，以限制通过栅极的电流。

3. MOSFET的门极驱动电流不足：

   • 如果门极驱动电流不足，MOSFET可能无法完全导通，导致高电压降和过热。
   • 解决方案：增加门极驱动电流，确保MOSFET能够完全导通。

4. 电路中的寄生电感：

   • 电路中的寄生电感可能导致电压尖峰，从而损坏MOSFET。
   • 解决方案：优化PCB布局，减少寄生电感，或者在MOSFET的栅极和源极之间增加一个小的去耦电容。

5. MOSFET的散热不良：

   • 如果MOSFET的散热条件不佳，它可能会因为过热而烧毁。
   • 解决方案：确保MOSFET有足够的散热措施，如散热片或合适的散热路径。

6. 电源电压不稳定：

   • 不稳定的电源电压可能导致MOSFET承受意外的高电压。
   • 解决方案：检查电源电路，确保电源电压稳定，并在必要时增加电压调节和过滤措施。

7. MOSFET选型不当：

   • 如果MOSFET的额定电压或电流低于实际工作条件，它可能会烧毁。
   • 解决方案：根据实际工作条件选择合适的MOSFET。

8. 电路设计问题：

   • 电路设计中可能存在其他问题，如错误的连接或不当的保护措施。
   • 解决方案：仔细检查电路设计，确保所有连接正确，并且有足够的保护措施。

由于您提到即使在低侧工作时也会出现烧毁情况，这可能意味着问题与高侧驱动或自举电容无关。您可以尝试上述解决方案，逐一排查可能的原因，并进行相应的调整。如果问题仍然存在，可能需要更详细的电路分析和测试来确定根本原因。