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- 2020-12-24 17:01鲸商的博客 态密度有分波态密度（PDOS）和总态密度（TDOS）两种形式。以下将介绍用Materials Studio进行态密度计算的基本步骤，仍以ZnS半导体为例： （1）前三步与计算能带结构的一致。 （2）点击GeomOpt文件夹中的ZnS.xsd。...
- 2021-05-20 13:12半路的疯子的博客 准静态 C V 法测量硅表面态密度分布及数据处理 钱敏1 刘蓓1 辛煜2 11 苏州大学 电子信息学院 微电子系 江苏 苏州 215021 21 苏州大学 物理科学与技术学院 江苏 苏州 215006 摘要 表面态问题的研究是半导体材料 器件...
- 2023-09-07 16:31Allenkx的博客 态密度图可以反映出电子在各个轨道的分布状况，反映原子与原子之间的相互作用情况并且还可以揭示化学键的重要信息。态密度的分析是用于探究固体的结构性质的手段，它能很好的预测材料的性质(如成键的趋势、化学键的...
- 2021-05-22 00:46采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对 KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明 KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV。详细讨论了 KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的 结构。
- 2022-12-07 19:53Wayne_yx的博客 使用VASP计算材料能带和态密度
- 2017-05-10 11:18wffzxyl的博客 我个人的理解是这样的：由于金属的能带有可能穿越fermi能级，从而引起总能计算时的不连续变化（这个我不知道为什么？）。为了避免这种情况，需要引入分数的占据态。在castep中0k下的计算，是将单电子能级采用...
- 2021-02-25 19:56表面陷阱态在纳米器件的光电特性中... 实验数据表明，纳米线表面陷阱态的能量密度在深层为109cm-2 / eV，在导带边缘附近为1012cm-2 / eV。 这种光电方法使我们能够以极高的精度方便地探测超规模纳米/量子器件的陷阱态。
- 2023-08-15 09:38Xiao2489的博客 （单独计算所需文件：静态自洽的CONTCAR，INCAR,KPOINTS,POTCAR,CHGCAR,提交脚本，WAVECAR(可加可不加，有的话会减少计算时间)）分原子态密度通过选择需要分析的某个原子画图，可以分析不同原子之间的轨道杂化，以及...
- 2021-03-30 01:30低压化学气相沉积法生长的GaN与SiNx结晶界面处的近导带态
- 2021-01-20 00:43肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-...
- 2021-07-08 04:19建立TiO1.875X0.125（2×1×1）（X为C、N、S、P）超晶胞,采用基于密度泛函理论（Density Functional Theory,DFT）的Castep软件包对锐钛矿TiO2和TiO1.875X0.125的能带结构、态密度和光学性质进行分析。结果表明:非...
- 2021-06-13 07:03用三角势近似界面导带弯曲，采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN/ Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的结合能，计算中考虑了电子有效质量，电子面密度，介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化，数值计算...
- 2023-11-13 18:11朱老师讲VASP的博客 我们可以通过态密度图分析出VBM（价带顶）和CBM（导带底）的主要贡献轨道，可以看出带隙是由那个原子的哪条轨道决定的。根据‘能带结构和态密度图的绘制及初步分析’里面的描述，态密度发生“共振”是成键的一个明显...
- 2021-10-22 07:29导带与价带的关系.pdf
- 2023-03-27 10:34测试狗科研的博客 态密度计算是一种重要的计算化学方法，用于研究物质的电子结构和能带结构。在材料科学和半导体器件工业中，态密度计算被广泛应用于预测材料的电子性质和优化器件性能。
- 2022-12-03 12:23CAE320的博客 主要步骤分为： 1 创建新项目，导入氧化锌原胞 2 运用Castep模块进行优化计算，得到能带及态密度 3 切面并计算表面能得到完全解理面 4 对比计算结果，分析电子性质1 首先打开Materials Studio软件
- 2020-05-30 17:19对于典型的晶体取向，计算了能带结构的主要参数，例如能带边缘能级，分裂能，状态密度（DOS）有效质量和电导有效质量。 计算结果与相关文献报道的数据吻合良好。 最后给出了DOS有效质量，电导有效质量与不同晶面...
- 2022-07-14 19:06本代码是个人编写的计算GaN量子阱内导带，价带（6*6哈密顿量）的光学特性，包含光吸收，光增益，量子效率，波函数，计算包含导带-价带，导带-导带，价带-价带内部的跃迁的所有计算，使计算量子体系的光吸收的理想...
- 2021-04-27 20:13qq_41856269的博客 怎样计算带分解电荷密度图： 需要在静态计算后进一步进行电荷密度的计算 1.按照计算能带的流程进行能带结构的计算 2.进行电荷密度的计算 在INCAR中设置需要计算的能带是哪一条。 判断方式哪条能带的方法为： 将所得...
- 2021-02-11 18:21采用激光微细熔覆柔性直写技术,在玻璃基板上直接制备高质量高性能的微细导带。通过控制各工艺参数的变化所引起组织形貌的变化判定形成导带的性能的好坏和质量的优劣,优化了工艺参数,并采用该参数进行实际图形的制备...
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