利用多片512 K × 1位的SRAM芯片设计存储容量为512 K × 8位的SRAM存储器。要求画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理
利用多片512 K × 1位的SRAM芯片设计存储容量为512 K × 8位的SRAM存储器。要求画出电路原理图,并从控制线、地址线、数据线三个方面描述其工作原理
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- 努力努力再努力~~ 2023-07-07 00:21关注
- 利用多个512 K × 1 位的SRAM芯片组成总线。这里需要16片芯片。
- 每片芯片 only 控制一个bit(0或1),16片组合起来可实现8位。
- 需要配置地址线,将16芯片的同一地址线相连,从而使得它们使用相同的地址。
- 数据线分为位0~位7,对应16片芯片的16个输出。
- 需要配置写使能/读使能控制线,将16片芯片的控制线相连。
- 写入/读取数据时需要同时控制16片芯片。
- 数据/地址总线驱动16片芯片进行读写操作。
电路图如下:
地址线A0-An连接16片512K×1位SRAM的地址输入
写使能WE和读使能OE连接16片SRAM的控制输入
16片SRAM的16个输出分别连接数据线D0-D7
从地址线角度:
- 共享同一组地址线A0-An,16片SRAM接收相同的地址
- 由相同地址驱动,选通相同存储单元
- 从16片芯片对应的数据线上获得8位数据
从控制线角度: - WE和OE连接16片SRAM的写使能/读使能控制输入
- 通过WE/OE同时控制16片SRAM的读写操作
从数据线角度: - 16片SRAM的16个输出分别连接数据线D0-D7
- 每条数据线对应1bit的数据,16条数据线对应8位数据总线
- 读取/写入8位数据时通过数据线操作
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