三相电机驱动,采用三个半桥驱动的形式,想达到母线电流持续120A的指标。
现MOSFET选型:IPLU300N04S4-R8 Vds=12V
现预驱芯片选型:IRS2101S 供电电压:12V
现在电流只能达到40A,发热就比较严重。
哪位能帮忙解释一下?为什么MOSFET的最大电流能达到300A,现在只到达40A就不行了呢?
是因为预驱芯片的选型问题吗?预驱芯片都需要确认哪些参数呢?
有劳各位。
三相电机驱动,采用三个半桥驱动的形式,想达到母线电流持续120A的指标。
现MOSFET选型:IPLU300N04S4-R8 Vds=12V
现预驱芯片选型:IRS2101S 供电电压:12V
现在电流只能达到40A,发热就比较严重。
哪位能帮忙解释一下?为什么MOSFET的最大电流能达到300A,现在只到达40A就不行了呢?
是因为预驱芯片的选型问题吗?预驱芯片都需要确认哪些参数呢?
有劳各位。