第一张图采用三通道,用了低位交叉编址,如果这里总线传输周期等于存取周期的话,那总线带宽就等于存储器带宽,采用三模块后确实可以差不多提升三倍的带宽,用单个内存条总线带宽乘三就行,但如果等于存取时间,这里10.66gb每秒就只是单内存条的总线带宽,而不是存储体的带宽。
第二张图总线传输周期就是存取时间而不是存取周期,如果读出的字无限多,带宽就差不多提升四倍。
第三张图有说的存储体同时启动,存储体周期等于总线传输周期,该信哪个
第一张图采用三通道,用了低位交叉编址,如果这里总线传输周期等于存取周期的话,那总线带宽就等于存储器带宽,采用三模块后确实可以差不多提升三倍的带宽,用单个内存条总线带宽乘三就行,但如果等于存取时间,这里10.66gb每秒就只是单内存条的总线带宽,而不是存储体的带宽。
【以下回答由 GPT 生成】
总线传输周期和存取时间并不是一回事。它们有不同的定义和概念。
首先,总线传输周期(bus transfer period)是指数据在总线上传输的时间间隔。在ARM架构中,总线传输周期由总线的频率决定,通常以时钟周期(clock cycle)为单位,比如时钟频率为100 MHz时,总线传输周期为10 ns。
而存取时间(access time)则是指从发起存取请求到获得结果的所需时间,也可以理解为存储器访问的延迟。存取时间不仅包括数据传输时间,还包括存储器芯片内部的寻址时间、处理时间等。存取时间通常由存储器的性能决定,可以通过芯片手册或规格说明来获取。
总线带宽和存储器带宽也是不同的概念。总线带宽(bus bandwidth)是指在一定时间内通过总线传输的数据量,通常以字节或位/秒为单位。而存储器带宽(memory bandwidth)是指存储器读取或写入数据的速率,通常以字节/秒为单位。
关于你提到的三通道和低位交叉编址来提升总线带宽的方法,可以简单解释如下:
至于你提到的关于总线传输周期等于存取时间的观点,以及存储体同时启动和存储体周期等于总线传输周期的观点,根据一般的理解和常识,这些说法并不准确。总线传输周期和存取时间是两个不同的概念,具体的数值和关系还需要根据具体的硬件设计和架构来确定。
总的来说,为了准确了解总线传输周期和存取时间之间的关系,以及提升总线带宽的方法,建议你深入研究ARM架构的相关文档和技术资料,查阅具体的硬件规格和设计手册,以获得准确和可靠的信息。如有需要,还可以进行性能测试和实验验证来获取实际的数据和结果。
如果还有其他相关问题,欢迎继续追问。
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