做毕设用cadence virtuoso仿真，目前卡在更改电路参数上，我需要更改mos管的迁移率阈值电压等电路参数，导师给出的解决方案是通过更改工艺库参数实现，目前没找到怎么更改工艺库参数的方法

Question

做毕设用cadence virtuoso仿真，目前卡在更改电路参数上，我需要更改mos管的迁移率阈值电压等电路参数，但是目前我自己只会更改w和l，导师给出的解决方案是通过更改工艺库参数实现，目前没找到怎么更改工艺库参数的方法，能教一下吗？
或者能提一些其他的解决方发吗

Answer 1

让阿豪来帮你解答，本回答参考chatgpt3.5编写提供，如果还有疑问可以评论或留言

回答： 更改cadence virtuoso仿真电路的电路参数，可以通过以下方法实现：

1. 更改MOS管的迁移率和阈值电压等电路参数 a. 打开virtuoso工具，在Design Rule Checker (DRC)中设置电路参数，如迁移率和阈值电压等。 b. 在schematic视图中选定要更改参数的MOS管，右键选择"Properties"。在属性面板中，选择tab "Model"，可以更改想要更改的参数，如迁移率和阈值电压等属性。 c. 通过修改模型库中的参数来实现更改。打开"Virtuoso Library Manager"，选中需要修改的模型库，然后选择"Edit > Edit PDK Data". 在"PDK Data Editor"视窗中，找到要修改的参数，将其更改为所需的值。 例子：在cadence virtuoso仿真中，要更改MOS管的迁移率和阈值电压，可以依次操作如下： 在DRC中设置电路参数: Tools->DRC Options->Technology->Technology Parameters-> Device Parameters->Edit 在schematic视图中选定要更改参数的MOS管: 右键选择 Properties->Model 通过修改模型库中的参数来实现更改: Tools->Virtuoso Library Manager -> Choose library->Edit->Edit PDK data->修改参数
2. 其他解决方案： 除了更改工艺库参数外，还可以使用其他方法实现更改电路参数，如： a. 使用参数化设计工具，例如Cadence的"Virtuoso Parameterized Cell Designer"，可以通过设置参数来实现电路参数的更改。 b. 手动更改SPICE模型的参数。在schematic视图中选定要更改参数的MOS管，右键选择"Properties"，在属性面板中，选择tab "Model"，可以手动修改SPICE模型参数。 代码示例： 手动更改SPICE模型参数的代码示例如下：
3. SPICE model for an nmos transistor with parameter values
4. provided by technology library. .MODEL MN0 NMOS(LEVEL=3 L=1u W=1u M=1 Eg=1.1 Tnom=27 tox=10u Vth0=0.5 K1=0.5 K2=0.1
5. K3=0 K3b=0 W0=1u NLX=1.2e7 RDSW=300)
6. Change Vth0 parameter to 0.7 .MODEL MN0 NMOS(LEVEL=3 L=1u W=1u M=1 Eg=1.1 Tnom=27 tox=10u Vth0=0.7 K1=0.5 K2=0.1
7. K3=0 K3b=0 W0=1u NLX=1.2e7 RDSW=300)