安路读写SDRAM时,写数据的时候可以连续写入,只关心刷新信号,在刷新时不能写sdram读数据时,要关注刷新信号和busy信号(busy为高不可读SDRAM),但是busy信号存在只有3个时钟周期为低电平的情况,但是每次需要读取4个数据,这就导致读使能有效的时候会出现busy为高的情况,导致从SDRAM中读取的数据会存在错误,这种该怎么办?
收起
通过算法来控制
报告相同问题?