weixin_53622170 2025-08-07 12:01 采纳率: 50%
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tsmc28nm基本电流镜仿真

问题:输出曲线应该在进入饱和区后大致等于10uA,但是看输出曲线是一直上升的,不知道怎么解释,deepseek说是异常的,哪怕被击穿也不会到达160uA,想问下输出曲线正不正常。
MOS管的W=100n,L=30n,电流源10uA,输出管接Vdc进行0-4V扫描,得到如下曲线(图三)
图一:原理图

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图二:相关参数:VDD=2V,对VDC进行0-4V扫描

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图三:电流随VDC变化曲线

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图四:M1参数

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图五:MO参数

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  • 檀越@新空间 2025-08-07 12:02
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    中午好🌞🌞🌞
    本答案参考通义千问

    根据你提供的信息,我们可以逐步分析输出曲线异常的原因,并给出解决方案


    一、问题描述

    • MOS管参数

      • W = 100 nm
      • L = 30 nm
      • 电流源为 10 μA
      • VDD = 2 V
      • VDC 扫描范围:0 ~ 4 V
    • 预期结果

      • 当 VDC 进入饱和区后,输出电流应稳定在约 10 μA。
    • 实际观察到的现象

      • 输出电流随 VDC 上升而持续增加,甚至达到 160 μA,明显超出预期值
    • DeepSeek 的反馈

      • 认为这种行为是异常的,因为即使 MOS 管被击穿,也不应达到如此高的电流(160 μA)。

    二、可能原因分析

    1. MOS 管未进入饱和区

    • 在仿真中,MOS 管是否真正进入了饱和区?可以通过查看 VGS 和 VDS 的关系来判断。
    • 如果 VDS < VGS - Vth,则 MOS 管处于线性区,电流会随着 VDS 增加而上升。

    2. 电流镜设计错误

    • 如果电流镜的设计不正确(如 M1 和 M2 的尺寸不匹配),会导致输出电流偏离预期。
    • 特别注意:M1 和 M2 的宽长比(W/L)是否一致?如果不一致,输出电流将不成比例。

    3. 电源电压不足或偏置不当

    • VDD = 2 V,可能不足以让 MOS 管进入饱和区。
    • 如果 VDS 不够大,MOS 管无法进入饱和,导致电流持续上升。

    4. 模型文件问题

    • 使用的 MOS 模型是否适用于 TSMC 28nm 工艺?
    • 如果模型有误,可能导致仿真结果与实际不符。

    5. 仿真设置问题

    • 仿真中是否设置了合适的直流扫描步长和精度?
    • 是否使用了正确的仿真器(如 HSPICE、Spectre、LTspice 等)?

    三、解决方案(有序列表)

    1. 检查 MOS 管工作区域

    • 查看 VGS 和 VDS 的关系,确认 MOS 管是否进入饱和区。
    • 关键公式: $$ V_{DS} \geq V_{GS} - V_{th} $$
      • 如果 VDS < VGS - Vth,说明 MOS 管处于线性区,电流会上升。

    2. 验证电流镜设计

    • 确保 M1 和 M2 的 W/L 比例一致。
    • 如果 M1 和 M2 的尺寸不同,电流镜输出电流会偏离预期。
    • 示例代码(Verilog-A 或 SPICE)
      // 假设 M1 是参考晶体管,M2 是复制晶体管
      M1 n1 n2 n3 gnd NMOS W=100n L=30n
      M2 n4 n2 n5 gnd NMOS W=100n L=30n
      
      • 修改建议:确保 M1 和 M2 的 W/L 相同。

    3. 调整电源电压和偏置

    • 如果 VDD 太低,MOS 管可能无法进入饱和区。
    • 建议尝试提高 VDD 到 3V 或更高,以确保 MOS 管可以进入饱和区。

    4. 检查模型文件

    • 确保使用的 MOS 模型是 TSMC 28nm 工艺下的标准模型。
    • 示例模型引用(SPICE)
      .model NMOS NMOS (VTO=0.45 UO=350 LAMBDA=0.01)
      
      • 如果模型不准确,可能导致仿真结果异常。

    5. 优化仿真设置

    • 增加直流扫描的步长和精度。
    • 使用更精确的仿真器(如 HSPICE 或 Spectre)进行仿真。

    四、推荐修改后的代码(SPICE 示例)

    * TSMC 28nm Current Mirror Simulation
    .model NMOS NMOS (VTO=0.45 UO=350 LAMBDA=0.01)
    
    VDD VDD 0 DC 3V
    VDC VDC 0 DC 0V
    IBIAS IBIAS 0 DC 10uA
    
    M1 IBIAS VDC VDC 0 NMOS W=100n L=30n
    M2 VOUT VDC VDC 0 NMOS W=100n L=30n
    
    RLOAD VOUT 0 1k
    
    * 设置直流扫描
    .dc VDC 0 4 0.1
    
    * 设置仿真选项
    .options post=1
    
    .end
    

    注意:以上代码是一个简化版示例,具体仿真需根据实际电路结构进行调整。


    五、结论

    你的输出曲线确实存在异常,主要原因是:

    • MOS 管可能未进入饱和区
    • 电流镜设计可能存在偏差
    • 电源电压或模型文件可能存在问题

    建议按照上述步骤逐一排查,特别是检查 MOS 管的工作状态和电流镜的比例一致性。如果仍然无法解决问题,可提供完整的仿真文件或原理图进一步分析。

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  • 创建了问题 8月7日