光伏逆变器igbt核心技术三个结构的微观示意图,终端结构,假栅源区作用,
微沟槽栅结构
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阿里嘎多学长 2025-06-19 18:13关注阿里嘎多学长整理AIGC生成,因移动端显示问题导致当前答案未能完全显示,请使用PC端查看更加详细的解答过程
光伏逆变器IGBT核心技术三个结构的微观示意图
光伏逆变器IGBT核心技术可以分为三个结构:终端结构、假栅源区作用和微沟槽栅结构。下面是每个结构的微观示意图:
终端结构
终端结构是IGBT的输出端结构,主要包括:
- Collector(集电器):负责将电流从IGBT输出到外部电路。
- Emitter(发射器):负责将电流从外部电路输入到IGBT。
- Base(基):负责控制IGBT的开关状态。
假栅源区作用
假栅源区作用是IGBT的控制结构,主要包括:
- Base-Emitter(基-发射器)junction:负责控制IGBT的开关状态。
- Base-Collector(基-集电器)junction:负责控制IGBT的开关状态。
微沟槽栅结构
微沟槽栅结构是IGBT的核心结构,主要包括:
- Gate(栅):负责控制IGBT的开关状态。
- Drain(排)region:负责IGBT的电流流通。
- Channel(渠道):负责IGBT的电流流通。
这些结构的微观示意图可以帮助我们更好地理解IGBT的工作原理和结构。
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