高位交叉编址 :高位地址表示体号,低位地址为体内地址
低位交叉编址 :低位地址为体号,高位地址为体内地址
低位交叉方式(流水线方式),存储器交叉模块数应大于等于 m=T/r (T为存取周期,r为总线传输周期),连续读取m个字所需时间为t1=T+(m-1)r,
高位交叉方式(顺序方式)连续读取m个字所需时间为t2=mT
为什么高位交叉方式不需要 总线传输周期的参与?
高位交叉编址 :高位地址表示体号,低位地址为体内地址
低位交叉编址 :低位地址为体号,高位地址为体内地址
低位交叉方式(流水线方式),存储器交叉模块数应大于等于 m=T/r (T为存取周期,r为总线传输周期),连续读取m个字所需时间为t1=T+(m-1)r,
高位交叉方式(顺序方式)连续读取m个字所需时间为t2=mT
为什么高位交叉方式不需要 总线传输周期的参与?